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Damit sich noch größere Datenmengen speichern lassen, haben Intel und Micron ein neues 3D-Produktionsverfahren für Speicherzellen entwickelt. Foto: Intel

Intel und Micron wollen Laptop-Speicher-Kapazität erhöhen

Nie ist genug Platz auf der Speicherkarte? Intel und Micron wollen jetzt Schluss machen mit diesem Problem. Ein neues 3D-Verfahren für Speicherzellen soll bislang unerreichbare Byte-Mengen auf herkömmlichen Karten möglich machen.

Boise (dpa) - Mehr als 10 Terabyte an Daten soll eine herkömmliche Speicherkarte für Laptops mit neuen Speicherzellen fassen können, die Intel gemeinsam mit dem US-Unternehmen Micron Technology entwickelt. Externe Speicherkarten etwa für PCs haben heute ein Fassungsvermögen von rund 1 bis 3 Terabyte.

Für die erhöhte Kapazität haben die Unternehmen die Speicherzellen in dreidimensionaler Architektur angeordnet. Im herkömmlichen Produktionsverfahren von Flash-Speichern seien die physikalischen Grenzen nahezu ausgereizt, teilte Intel am Donnerstag (Ortszeit) mit.

Die neue Technologie solle einen "dramatischen Einfluss" darauf haben, künftig Speicherkarten mit mehr Leistung bei geringeren Kosten produzieren zu können, heißt es bei Intel. Und das auf kleistem Raum. Ein Kaugummistreifen großer Speicherstick solle demnach rund 3,5 Terabyte an Daten fassen können. Samsung hatte bereits im vergangenen Jahr erste 3D-Speicher auf den Markt gebracht. Intels und Microns Verfahren solle laut den Unternehmen die dreifache Leistung bringen.

Die einzelnen Speicherzellen von Flash-Speichern etwa in Laptops werden normalerweise nebeneinander positioniert. Indem die Forscher die Zellen nun übereinander in 32 Lagen anordnen, könnten auch die Zellen deutlich größer sein, wie Intel mitteilte. So soll sowohl Leistung als auch Ausdauer der Speicher erhöht werden. Die neuen Speicher seien auch für den Einsatz in Datenzentren geeignet. Die Produktion der Speicher habe bereits begonnen, im vierten Quartal sollen sie serienreif sein.

Intel Ankündigung

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